立足崗位踔厲奮發，加快半導體材料創新發展-中國(Country)電子科技集團有限公司

　　黨的(Of)二十大(Big)報告強調，要(Want)加快實施創新驅動發展戰略，加快實現高水平科技自立自強，以(By)國(Country)家戰略需求爲(For)導向，集聚力量進行原創性引領性科技攻關，堅決打赢關鍵核心技術攻堅戰。

　　“終于(At)成功了！”近日，中國(Country)電科46所成功制備出(Out)2英寸氧化镓同質外延片，實現在(Exist)該領域的(Of)再次突破。

　　走進緊張忙碌的(Of)新型半導體材料重點實驗室，一(One)台台單晶和(And)外延生(Born)長設備映入眼簾，在(Exist)這(This)些看似神秘的(Of)裝置裏，白色氧化镓粉末聚沙成塔默默生(Born)長，由它打磨而成的(Of)抛光片、外延片，制作(Do)成的(Of)各類器件，在(Exist)消費電子、新能源汽車、特高壓輸電、軌道交通等領域有着廣闊應用(Use)前景。

　　氧化镓作(Do)爲(For)第四代半導體材料可謂“天資卓越”，超大(Big)禁帶寬度使其能用(Use)更少材料制造出(Out)更高耐壓、更強處理能力的(Of)半導體器件。面對氧化镓自主創新重任，46所實施揭榜挂帥，突破2英寸、4英寸氧化镓單晶生(Born)長技術，研制出(Out)高耐壓外延片，爲(For)實現氧化镓批量生(Born)産打下堅實基礎。

　　這(This)是中國(Country)電科加快關鍵基礎材料自主創新的(Of)生(Born)動實踐。

　　堅持把科技命脈掌握在(Exist)自己手中，46所以(By)超寬禁帶半導體技術創新爲(For)引領，以(By)矽外延産業優勢爲(For)依托，加快突破先進矽材料和(And)化合物半導體材料原創技術。

　　從率先研制出(Out)滿足深紫外探測要(Want)求的(Of)高透氮化鋁單晶，技術領先的(Of)同帶泵浦激光光纖，到(Arrive)大(Big)幅提升6英寸砷化镓單晶材料電阻率，從形成矽單晶、矽片、矽外延等完整産業鏈，到(Arrive)光纖環圈産能産量實現翻番增長。近年來(Come)，立足電子功能材料領域深厚基礎，46所聚焦“打基礎、見成效、跨越式發展”三步走目标，全面布局一(One)代、二代、三代、四代半導體“賽道”，奮力實現系列創新突破。

　　創新實力穩步提升，爲(For)産業應用(Use)提供了硬支撐。

　　全力推進科技成果轉化和(And)産業化發展，46所加快布局第三代半導體材料産業，不(No)斷延鏈擴鏈強鏈，不(No)斷提升行業地位和(And)影響力，勇擔産業鏈“鏈長”，奮力打造國(Country)内領先、世界先進的(Of)材料創新發展集群，支撐我(I)國(Country)半導體材料産業蓬勃發展。