集群發力、向高攀登，第三代半導體産業動能強勁-中國(Country)電子科技集團有限公司

　　“本批訂單共計96台套，将分多批次發貨。”新年伊始，一(One)批第三代半導體碳化矽外延裝備從長沙發往用(Use)戶現場，勾勒出(Out)中國(Country)電科第三代半導體産業發展欣欣向榮的(Of)圖景。

　　碳化矽外延生(Born)長設備是碳化矽器件制造專用(Use)設備中最重要(Want)的(Of)一(One)類。通過不(No)懈鑽研，電科裝備48所還推出(Out)碳化矽用(Use)立式低壓化學氣相沉積設備，成功攻克高潔淨度環境獲得、高穩定壓力控制、高精度溫度控制等技術難題。

　　千裏之外的(Of)山西，中國(Country)電科（山西）碳化矽材料産業基地生(Born)産車間緊張忙碌，一(One)排排3米高碳化矽單晶生(Born)長設備表面平靜，裏面2000℃以(By)上的(Of)高溫中，正進行着驚人(People)的(Of)化學反應——一(One)個(Indivual)個(Indivual)碳化矽晶錠正在(Exist)快速生(Born)長。

　　“碳化矽單晶制備是全球性難題，而高穩定的(Of)晶體生(Born)長工藝則是其中最核心的(Of)一(One)環。”電科材料技術專家表示，深耕碳化矽材料和(And)大(Big)尺寸單晶“賽道”，團隊着力突破6英寸、8英寸碳化矽産品的(Of)技術難題，順利突破6英寸N型碳化矽襯底産業化技術，實現6英寸産品規模化生(Born)産，産品良率等各項指标得到(Arrive)有效改善，産量産能再創新高，突破大(Big)尺寸單晶制備等關鍵難題，順利研制出(Out)8英寸碳化矽襯底，并實現小批量生(Born)産。

　　在(Exist)不(No)斷刷新材料、裝備研制高度的(Of)同時(Hour)，中國(Country)電科持續拓寬器件應用(Use)廣度。

　　“這(This)是一(One)個(Indivual)1200伏、100安的(Of)碳化矽半導體器件，電能的(Of)處理和(And)控制，靠的(Of)就是這(This)個(Indivual)。”手持小小的(Of)器件，技術專家介紹道。随着新能源汽車市場快速發展，碳化矽材料研制的(Of)器件、模塊在(Exist)高功率、高頻、高壓、高溫場景下的(Of)優勢愈發明顯。相同規格下碳化矽MOSFET的(Of)尺寸隻有矽基産品的(Of)1/10。與矽基IGBT相比，使用(Use)碳化矽MOSFET器件，系統能量損耗可以(By)降低70%。

　　瞄準新能源車、智能電網、光伏發電、軌道交通等産業需求，國(Country)基南方攻克高效、高頻、高功率寬禁帶半導體技術的(Of)電力電子器件重大(Big)關鍵技術難題，在(Exist)碳化矽電力電子器件等領域取得系列重要(Want)創新成果。特别是碳化矽MOSFET對标國(Country)際先進，突破多項關鍵工藝，推動建立材料外延、器件設計、芯片制造、模塊封裝的(Of)産業鏈布局，在(Exist)國(Country)内率先建立了6英寸碳化矽器件工藝平台，率先實現多型号多尺寸的(Of)産品量産和(And)應用(Use)，滿足百萬輛車載充電裝置應用(Use)需求，有力保障汽車電子産業鏈供應鏈安全。

　　潛心深耕第三代半導體“賽道”，中國(Country)電科科研人(People)員以(By)實際行動踐行黨的(Of)二十大(Big)精神，立足國(Country)家所需、行業所趨、電科所能，持續加強共性基礎技術研究攻關，努力爲(For)國(Country)家第三代半導體技術創新與産業高質量發展作(Do)出(Out)新的(Of)更大(Big)貢獻。